西安电子科技大学韩根全教授学术报告

后摩尔时代微电子若干新器件

主讲人 : 韩根全 教授

后摩尔时代微电子器件技术等继续快速发展，各国在半导体技术方面的竞争也进入白热化。一方面硅基CMOS器件进入到亚7纳米时代，器件尺寸进一步缩小，芯片集成度不断提升；另一方面由于冯诺依曼架构中“存储墙”的存在以及大数据技术的发展，新型存储器成为微电子研究的重要课题。报告人将讨论后摩尔时代微电子若干新器件技术，包括CMOS逻辑，存储和功率器件的发展趋势和研究进展。

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主讲人简介：

韩根全，博士，西安电子科技大学教授。2016年入选陕西百人计划并获得基金委优青项目，2020年获得国家杰青，2019获批国家重点研发计划项目首席科学家。2019年获得陕西省青年科技奖和电子学会优秀毕业论文优秀导师奖。韩根全教授本科毕业于清华大学材料科学与工程专业，2003年保送到半导体所直博研究生。2008年毕业后加入新加坡国立大学从事高端CMOS器件研究工作，期间带领一个团队在高迁移率GeSn沟道MOSFET器件研制方面取得了国际领先的原创性研究成果，被Semiconductor Today等网站多次转载报道。2013年回国到现在主要从事后摩尔新型微电子器件和研究。2013~2015年，韩根全在重庆大学光电工程学院工作，2015年加入西安电子科技大学微电子学院。

韩根全教授围绕后摩尔新型微电子器件和芯片取得了一系列重要研究成果，在微电子器件重要会议IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等微电子器件旗舰期刊发表SCI论文200多篇。韩根全主持科研经费超过9000万，包括国家重点研究计划、自然科学基金重点项目、优秀青年项目、面上项目、之江实验室项目等。韩根全目前为IEEE Electron Device Letters编辑。

韩根全教授正在开展的研究方向包括，后摩尔先进CMOS器件和芯片、新型铁电存储器以及芯片、超宽禁带Ga2O3功率器件和和光电融合技术等。