澳大利亚昆士兰大学邹进教授来我校讲学

2016年9月23日，澳大利亚昆士兰大学纳米科学讲席教授邹进教授做客重庆大学工程科学前沿讲坛，在A区综合实验大楼319会议室为到场师生做了题为“Growth of epitaxial III-V semiconductor nanowires” 的学术报告。国家镁合金材料工程技术研究中心主任潘复生，材料学院副院长张丁非等50余名教师和研究生参加了报告会。报告会由潘复生教授主持，并由他向邹进教授赠送了重庆大学工程科学前沿讲坛纪念奖牌。  

在报告中，邹进教授就催化剂在III-V半导体纳米线外延生长过程中的作用做了深入的讲解。III-V半导体纳米线因其独特的异质结构，以及在光电子、纳米电子和传感器领域具有的优异性质，引起了广泛的关注。一般情况下，半导体纳米线借助于催化剂的催化作用进行一维生长，而随着催化剂的性质不同，纳米线的生长机理和方式也会发生变化，进而导致生长出的纳米线具有不同的特性。邹进教授正是基于催化剂对纳米线生长机理影响的复杂多变性，广泛地介绍了近年来的研究成果。在整个讲座中，邹进教授突出了电子显微镜作为一种微观观察工具以及其在材料科学应用中的重要性和必要性。讲座的最后，邹进教授还和在场的师生就相关问题进行了深入的讨论。  

主讲人邹进教授现为澳大利亚昆士兰大学纳米科学讲席教授，曾担任澳大利亚电子显微学会秘书长（2010-2014），现任全澳华人专家学者联合会副会长，澳大利亚昆士兰华人工程师与科学家协会理事会主席。他目前的研究方向包括：半导体纳米结构的形成机理及其物理性能的研究，先进功能纳米材料的形成及其高端应用等。他分别赢得了澳大利亚研究理事会的博士后研究员及伊丽莎白二世研究员。2009年被澳大利亚研究理事会授予首批未来研究员。邹进教授承担了近30项澳大利亚联邦政府和昆士兰州政府的科研项目，并在SCI刊物上已发表学术论文570多篇（Web of Science），其多数论文发表在国际知名刊物上并被引用一万三千多次，其H因子为57。